1. KATILARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ
1.1 Ohm Yasası ve Ohmik İletkenler
1.4 Katıların Elektriksel İletkenliklerine Göre Sınıflandırılması
1.4.1 Metal, Yarıiletken ve Yalıtkan
1.4.2 Elektriksel İletkenlik, Yük Taşıyıcılarının Yoğunluğu ve Taşıyıcı Mobilitesi
1.4.3 Katıların Elektronik Enerji Bant Yapısı
1.4.3.1 Bohr Hidrojen Atomu Modeli
1.4.3.2 Pauli Dışarlama İlkesi
1.4.3.3 Katılarda Elektron Enerji Bantları
1.4.4 T 0 K’de Elektronların Enerji Bantlarına Dağılımı
1.4.5 Lokalize ve Serbest Elektronlar
1.4.6 T 0 K’de Katıların Elektriksel İletkenliği
1.4.7 Sonlu Sıcaklıklarda Katıların Elektriksel İletkenliği
1.4.8 Yarıiletkenlerde Serbest Taşıyıcılar
1.4.9 Elektronlar ve Boşluklar
1.4.10 Elektron ve Boşluk Mobiliteleri
1.4.11 Bipolar İletkenlik
1.5 Bazı Yarıiletkenlerin Bant Yapıları
2. ASAL VE KATKILI YARIİLETKENLER
2.1 Durum Yoğunluğu, N(E)
2.2 Fermi-Dirac Dağılım Fonksiyonu, f(E)
2.2.1 T 0 K’de Elektron Dağılımı
2.2.2 Sonlu Sıcaklıklarda Elektron Dağılımı
2.3.1 Asal Yarıiletkenlerde Serbest Yük Taşıyıcıları
2.3.2 Taşıyıcı Yoğunluğunun Sıcaklığa Bağlılığı
2.4 Katkılı Yarıiletkenler
2.4.1 n- ve p-Tipi Yarıiletkenler
2.4.2 n-tipi ve p-Tipi Katkılama
2.4.3. Donor ve Akseptörlerin İyonizasyon Enerjileri
2.4.4 Katkılı Yarıiletkenlerde Fermi Seviyesi
2.4.5 Taşıyıcıların Kompansasyonu
2.5 Taşıyıcı Yoğunluğunun Sıcaklığa Bağlılığı
3. KATILARDA YÜK TAŞINIMI
3.1 Elektrik Alan Altında Taşınım
3.1.1 Parçacık Akımı ve Yük Akımı
3.1.2 Sürüklenme Hızı ve Taşıyıcı Mobilitesi
3.1.3 Matthiesson Kuralı ve Toplam Mobilite
3.1.4 Mobilitenin Sıcaklığa Bağlılığı
3.1.5 Elektrik Alan Şiddetinin Taşıyıcı Mobilitesine Etkisi
3.2.2 Difüzyon Akım Yoğunluğu
3.2.3 Sürüklenme ve Difüzyon Akım Yoğunlukları
3.3 Yarıiletkenlerde Dengede Olmayan Taşıyıcı Yoğunlukları
3.3.1 Fazla Taşıyıcıların Üretimi ve Rekombinasyonu
3.3.2 Süreklilik Denklemleri
3.4 Sanki-Fermi Seviyeleri
3.5 Fazla Taşıyıcıların Ömrü
3.5.1 Shockley-Read-Hall Rekombinasyon Teorisi
3.5.2 Düşük Enjeksiyon Limiti
4. YARIİLETKENLERDE EKLEMLER: p-n EKLEM DİYODU
4.1.2 Arınmış Bölge Genişliği ve İç Elektrik Alan
4.2 Elektrik Alan Altında p-n Eklemi
4.2.1 Taşıyıcı Enjeksiyonu ve Akım
4.2.2 p-n Eklem Diyodunda Azınlık ve Çoğunluk Taşıyıcılar
4.3 Diyotlarda Yüksek Voltaj Etkileri
4.3.1 İleri Besleme: Yüksek Enjeksiyon Bölgesi
4.3.2 Geri Besleme: İmpakt İyonizasyon
4.3.2.1 Bir p-n Ekleminde Çığ Kırılması
4.3.2.2 Geri Besleme: Zener Kırılması
4.4 Arınmış Bölge Kapasitansı
4.5 Diyot Akımının Sıcaklığa Bağlılığı
5. GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER)
5.1 Güneş Pillerinin Prensipleri
5.1.1.1 Bose-Einstein Dağılımı ve Kara Cisim Işıması
5.1.1.2 Güneş ve Dünyanın Kara Cisim Işıması Spektrumu
5.1.2 Güneş Pili Malzemelerinin Seçimi
5.1.3 Işık Altında p-n Eklemi
5.1.4 Güneş Pili Parametreleri
5.2 Tasarım Gereksinimleri
5.2.1 Bir Güneş Pilinin Temel Tasarım Gereksinimleri
5.2.2 Güneş Pili Veriminin Artırılması
5.2.2.1 Çok Eklemli Güneş Pilleri
5.2.2.2 Yoğunlaştırıcılar
5.2.3 Güneş Pilinin Avantajları ve Dezavantajları
5.3 Termofotovoltaik (TPV) Piller
6.1 Direk Bant Aralıklı Yarıiletkenlerde Optik Geçişler
6.2 Dedektör Malzemesinin Seçimi
6.5 Kuantum Verimi ve Dedektörün Yanıtı
6.6 Yanıt Zamanı (Rise Time) ve Bant Genişliği
7. IŞIK YAYAN DİYOTLAR VE YARIİLETKEN LASERLER
7.1.1 Soğurma ve Işıma Hızları: Einstein Bağıntıları
7.1.3 Optik Geri Besleme ve Laser Osilasyonları
7.1.4 Laser Osilasyonları İçin Eşik Şartı
7.2 Yarıiletkenlerde Optik Süreçler
7.3 Işık Yayan Diyotlar (LED)
7.4.2 Yarıiletken Laserlerin Verimi
7.4.3 Kazanç ve Eşik Akım Yoğunluğu
7.4.4 Eşik Akım Yoğunluğuna Sıcaklığın Etkisi
7.6 Kuantum Kuyusu Laserleri
7.6.1 Düşük Boyutlu Yapılar: Kuantum Kuyusu Sistemleri
7.6.2 İki Boyutta Durum Yoğunluğu
7.6.3 Kuantum Kuyusu Sisteminde Soğurma
7.6.4 Kuantum Kuyulu Laserler
7.7 Dikey Kaviteli Yüzey Işıması Yapan Laserler
7.7.1 VCSEL’in Sıcaklık Bağlılığı
7.8 Dağıtılmış Geri Beslemeli Laser (Distributed Feedback Laser, DFB)
SEÇİLMİŞ SORULARIN YANITLARI